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GI810-HE3

更新时间： 2024-02-09 14:01:04

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	328K
描述
DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, LEAD FREE, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode

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GI810-HE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-15
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	DO-204AC	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向恢复时间：	0.75 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

GI810-HE3 数据手册

GI810 thru GI818

Vishay General Semiconductor

100

TJ = 25 °C

f = 1.0 MHz

V^sig= 50mVp-p

TJ = 25 °C

Pulse Width = 300 µs

1% Duty Cycle

0.1

0.01

100

0.8

Instantaneous Forward Voltage (V)

0.4

0.6

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

Reverse Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

Figure 5. Typical Junction Capacitance

100

TJ = 125 °C

T^J= 75 °C

0.1

T^J= 25 °C

0.1

0.01

0.1

100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

t, Pulse Duration (sec.)

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance

Package outline dimensions in inches (millimeters)

DO-204AC (DO-15)

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

Dia.

1.0 (25.4)

min.

0.300 (7.6)

0.230 (5.8)

0.140 (3.6)

0.104 (2.6)

Dia.

1.0 (25.4)

min.

Document Number 88628

12-Oct-05

www.vishay.com

1 234

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