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GI504/58-E3

更新时间： 2024-01-15 11:45:03

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	336K
描述
DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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GI504/58-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	2 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

GI504/58-E3 数据手册

GI500 thru GI510

Vishay General Semiconductor

100

TJ = 25°C

f = 1.0MHz

Vsig = 50mVp-p

TJ = 25°C

Pulse Width = 300 µs

1% Duty Cycle

0.1

0.01

100

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

Instantaneous Forward Voltage (V)

Reverse Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

Figure 5. Typical Junction Capacitance

100

TJ = 150 °C

TJ = 100 °C

0.1

TJ = 25 °C

0.01

0.1

0.01

100

0.1

100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

t, Pulse Duration (sec.)

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance

Package outline dimensions in inches (millimeters)

DO-201AD

1.0 (25.4)

Min.

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

Dia.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

Min.

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

Dia.

Document Number 88626

25-Aug-05

www.vishay.com

1 234

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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