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GD75PIT120C6SNF_G8

更新时间： 2024-04-09 18:59:33
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斯达半导体 - STARPOWER /
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C6.3.PIM

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GD75PIT120C6SNF_G8 数据手册

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GD75PIT120C6SNF_G8  
IGBT Module  
IGBT-brake Characteristics TC=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
IC=50A,VGE=15V,  
Tj=25oC  
Min. Typ. Max. Unit  
1.70 2.20  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
IC=50A,VGE=15V,  
VCE(sat)  
1.95  
2.00  
5.7  
V
Tj=125oC  
IC=50A,VGE=15V,  
Tj=150oC  
Gate-Emitter Threshold IC=2.0mA,VCE=VGE,  
Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
Gate-Emitter Leakage  
Current  
VGE(th)  
ICES  
5.0  
6.5  
1.0  
V
Tj=25oC  
VCE=VCES,VGE=0V,  
mA  
nA  
Tj=25oC  
VGE=VGES,VCE=0V,  
Tj=25oC  
IGES  
100  
RGint  
Cies  
Internal Gate Resistance  
Input Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
/
Ω
nF  
3.70  
VCE=30V,f=1MHz,  
VGE=0V  
Cres  
0.12  
nF  
QG  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Gate Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
VGE=15V  
0.25  
200  
43  
266  
296  
μC  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=50A,  
RG=15Ω,VGE=±15V,  
Tj=25oC  
Eon  
Eoff  
3.01  
3.32  
mJ  
mJ  
Turn-Off Switching  
Loss  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
200  
47  
284  
400  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=50A,  
RG=15Ω,VGE=±15V,  
Tj=125oC  
Eon  
Eoff  
3.62  
5.12  
mJ  
mJ  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
200  
47  
290  
410  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=600V,IC=50A,  
RG=15Ω,VGE=±15V,  
Tj=150oC  
Eon  
Eoff  
3.98  
5.63  
mJ  
mJ  
tP≤10μs,VGE=15V,  
Tj=150oC,VCC=900V,  
VCEM≤1200V  
ISC  
SC Data  
200  
A
©2014 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
10/3/2014  
5/13  
RN01  
12345678...13

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