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GD3NB60HD

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 505K
描述
N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

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GD3NB60HD 数据手册

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STGD3NB60HD  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)  
DYNAMIC  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
g
fs  
V
= 25 V I =3 A  
Forward Transconductance  
2.4  
S
CE  
, C  
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
V
= 25V, f = 1 MHz, V = 0  
235  
33  
6.6  
pF  
pF  
pF  
ies  
CE  
GE  
C
oes  
C
res  
Q
V
V
= 480V, I = 3 A,  
= 15V  
27  
nC  
nC  
nC  
Total Gate Charge  
Gate-Emitter Charge  
Gate-Collector Charge  
21  
6
7.6  
g
CE  
GE  
C
Q
ge  
Q
gc  
I
Latching Current  
V
R
= 480 V , Tj = 125°C  
= 10 Ω  
12  
A
CL  
clamp  
G
SWITCHING ON  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
t
V
R
= 480 V, I = 3 A  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
5
11  
ns  
ns  
d(on)  
CC  
C
t
r
= 10Ω , V = 15 V  
G
GE  
V
V
= 480 V, I = 3 A R =10Ω  
= 15 V,Tj = 125°C  
(di/dt)  
Eon  
Turn-on Current Slope  
Turn-on Switching Losses  
400  
77  
A/µs  
µJ  
CC  
GE  
C
G
on  
SWITCHING OFF  
Symbol  
Parameter  
Cross-over Time  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
76  
Max.  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
µJ  
µJ  
ns  
ns  
ns  
ns  
µJ  
µJ  
t
V
R
= 480 V, I =3 A,  
c
cc  
C
= 10 Ω , V = 15 V  
GE  
GE  
t (V  
)
off  
Off Voltage Rise Time  
Delay Time  
36  
r
t (  
d off  
)
53  
t
f
Fall Time  
77  
E
(**)  
Turn-off Switching Loss  
Total Switching Loss  
Cross-over Time  
Off Voltage Rise Time  
Delay Time  
33  
off  
E
t
100  
180  
82  
ts  
V
cc  
= 480 V, I = 3 A,  
c
C
R
= 10 Ω , V = 15 V  
GE  
Tj = 125 °C  
GE  
t (V  
)
off  
r
t (  
d off  
)
58  
t
f
Fall Time  
110  
88  
E
off  
(**)  
Turn-off Switching Loss  
Total Switching Loss  
E
165  
ts  
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.  
2. Pulse width limited by max. junction temperature.  
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)  
COLLECTOR-EMITTER DIODE  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
I
Forward Current  
1.5  
12  
A
A
f
Forward Current pulsed  
Forward On-Voltage  
I
fm  
V
I = 1.5 A  
I = 1.5 A, Tj = 125 °C  
f
2.1  
1.6  
1.3  
V
V
f
f
t
Q
I = 1.5 A ,V = 400 V,  
f R  
Tj =125°C, di/dt = 100 A/µs  
rr  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
95  
110  
2.7  
ns  
nC  
A
rr  
I
rrm  
3/10  
1234567...10

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