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GD30PIX65C5S

更新时间： 2024-04-09 18:59:38

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C5.0-PIM

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GD30PIX65C5S 数据手册

GD30PIX65C5S

IGBT Module

Diode-brake Characteristics T_C=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

I_C=15A,V_GE=0V,T_j=25^oC

I_C=15A,V_GE=0V,T_j=125^oC

I_C=15A,V_GE=0V,T_j=150^oC

Min. Typ. Max. Units

1.60 2.05

Diode Forward

Voltage

V_F

1.55

1.50

0.8

Q_r

Recovered Charge

Peak Reverse

Recovery Current -di/dt=1600A/μs,V_GE=-15V

Reverse Recovery

Energy

Recovered Charge

Peak Reverse

Recovery Current -di/dt=1600A/μs,V_GE=-15V

Reverse Recovery

Energy

Recovered Charge

Peak Reverse

Recovery Current -di/dt=1600A/μs,V_GE=-15V

Reverse Recovery

Energy

μC

V_R=300V,I_F=15A,

I_RM

T_j=25^oC

E_rec

Q_r

0.16

1.4

μC

V_R=300V,I_F=15A,

I_RM

T_j=125^oC

E_rec

Q_r

0.28

1.7

μC

V_R=300V,I_F=15A,

I_RM

T_j=150^oC

E_rec

0.37

NTC Characteristics T_C=25^oC unless otherwise noted

Symbol

R₂₅

∆R/R

Parameter

Test Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Rated Resistance

5.0

kΩ

Deviation of R₁₀₀T_C=100 ^oC,R₁₀₀=493.3Ω

-5

Power

Dissipation

P₂₅

20.0

R₂=R₂₅exp[B_25/50(1/T₂-

1/(298.15K))]

R₂=R₂₅exp[B_25/80(1/T₂-

1/(298.15K))]

R₂=R₂₅exp[B_25/100(1/T₂-

1/(298.15K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

B-value

3375

3411

3433

B-value

2/10/2018

6/13

Preliminary

1...3 4 567 8 9...13

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