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GD300MLT60B3S

更新时间： 2024-04-09 19:00:52
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斯达半导体 - STARPOWER /
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GD300MLT60B3S  
IGBT Module  
Diode D1 D2 D3 D4 TC=25℃ unless otherwise noted  
Maximum Rated Values  
Symbol  
VRRM  
IF  
Description  
Repetitive Peak Reverse Voltage @ Tj=25℃  
DC Forward Current  
GD300MLT60B3S  
Unit  
V
A
600  
300  
600  
IFRM  
Repetitive Peak Forward Current tp=1ms  
A
Characteristics Values  
Symbol  
Parameter  
Diode Forward  
Voltage  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
1.55 1.95  
1.50  
IF=300A  
VGE=0V  
VF  
V
13.2  
23.8  
Qr  
Recovered Charge  
μC  
IF=300A,  
VR=300V,  
192  
240  
Peak Reverse  
Recovery Current RG=2.4Ω,  
Reverse Recovery  
Energy  
IRM  
Erec  
A
VGE=-15V  
3.42  
6.18  
mJ  
Diode D5 D6 TC=25℃ unless otherwise noted  
Maximum Rated Values  
Symbol  
VRRM  
IF  
Description  
Repetitive Peak Reverse Voltage @ Tj=25℃  
DC Forward Current  
GD300MLT60B3S  
Unit  
V
A
600  
300  
600  
IFRM  
Repetitive Peak Forward Current tp=1ms  
A
Characteristics Values  
Symbol  
Parameter  
Diode Forward  
Voltage  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
1.55 1.95  
1.50  
IF=300A  
VGE=0V  
VF  
V
13.2  
23.8  
Qr  
Recovered Charge  
Peak Reverse  
Recovery Current RG=2.4Ω,  
Reverse Recovery  
μC  
IF=300A,  
VR=300V,  
192  
240  
IRM  
Erec  
A
VGE=-15V  
3.42  
6.18  
mJ  
Energy  
©2013 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
12/22/2013  
4/11  
Rev.B  
1234567...11

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