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GD300MLT60B3S

更新时间: 2024-04-09 19:00:52
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斯达半导体 - STARPOWER /
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11页 434K
描述
B3.2.3-level

GD300MLT60B3S 数据手册

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GD300MLT60B3S  
IGBT Module  
Switching Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
108  
49  
492  
49  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=300V,IC=300A,  
RG=2.4Ω,VGE=±15V,  
Tj=25℃  
Eon  
Eoff  
2.13  
9.83  
mJ  
mJ  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
121  
59  
520  
71  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=300V,IC=300A,  
RG=2.4Ω,VGE=±15V,  
Tj=125℃  
Eon  
Eoff  
3.08  
12.1  
mJ  
mJ  
Cies  
Coes  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
18.5  
1.15  
nF  
nF  
VCE=25V,f=1Mhz,  
VGE=0V  
Cres  
0.55  
nF  
VCC=300V,IC=300A,  
VGE=-15+15V  
QG  
Gate Charge  
3.22  
1.0  
nC  
RGint  
Internal Gate Resister  
Ω
tP6μs,VGE=15V,  
Tj=150,VCC=360V,  
VCEM600V  
ISC  
SC Data  
1500  
A
©2013 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
12/22/2013  
3/11  
Rev.B  

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