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GD20PIK60C5S

更新时间: 2024-04-09 18:58:57
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斯达半导体 - STARPOWER /
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12页 944K
描述
C5.0.PIM

GD20PIK60C5S 数据手册

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GD20PIK60C5S  
IGBT Module  
0.6  
10  
1
VCC=300V  
IF=20A  
VGE=-15V  
Diode  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
Tj=125℃  
EREC  
0.1  
0.01  
i:  
ri[K/W]: 0.1336 0.7346 0.7123 0.6455  
τi[s]: 0.01 0.02 0.05 0.1  
1
2
3
4
0
20  
40  
60  
80  
100  
0.001 0.01  
0.1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
Fig 9. Diode-inverter Switching Loss vs. RG  
40  
Fig 10. Diode-inverter Transient Thermal Impedance  
40  
VGE=15V  
35  
35  
30  
25  
30  
25℃  
25  
20  
15  
10  
5
150℃  
20  
25℃  
125℃  
15  
10  
5
0
0
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
VF [V]  
VCE [V]  
Fig 11. Diode-rectifier Forward Characteristics  
©2014 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
Fig 12. IGBT-brake-chopper Output Characteristics  
1/29/2014 9/12 NI01