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GD200SGT170C2S

更新时间: 2024-04-09 19:01:37
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斯达半导体 - STARPOWER /
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9页 252K
描述
C2.1.Single

GD200SGT170C2S 数据手册

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GD200SGT170C2S  
IGBT Module  
400  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
VCE=20V  
VGE=15V  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
25  
25℃  
125℃  
125℃  
0
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4  
VCE [V]  
5
6
7
8
9
10 11 12 13  
VGE [V]  
Fig 1. IGBT Output Characteristic  
200  
Fig 2. IGBT Transfer Characteristic  
450  
VCC=900V  
IC=200A  
VGE=±15V  
Tj=125℃  
VCC=900V  
RG=6.8Ω  
VGE=±15V  
Tj=125℃  
400  
160  
120  
80  
40  
0
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
EON  
EON  
EOFF  
EOFF  
0
0
100  
200  
300  
400  
0
10 20 30 40 50 60 70  
IC [A]  
RG [Ω]  
Fig 3. IGBT Switching Loss vs. IC  
©2011 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
Fig 4. IGBT Switching Loss vs. RG  
9/27/2011 5/9 Rev.A  

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