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GD150HFY120C6S

更新时间： 2024-04-09 19:01:20

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C6.1-Half Bridge

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GD150HFY120C6S 数据手册

GD150HFY120C6S

IGBT Module

300

250

200

150

100

300

250

200

150

100

V_GE=15V

V_CE=20V

Tj=25℃

Tj=125℃

Tj=150℃

Tj=25℃

Tj=125℃

Tj=150℃

0.5

1.5

2.5

3.5

10 11 12 13

V_CE[V]

V_GE[V]

Fig 2. IGBT Transfer Characteristics

Fig 1. IGBT Output Characteristics

Eon Tj=125℃

Eoff Tj=125℃

Eon Tj=150℃

Eoff Tj=150℃

Eon Tj=125℃

Eoff Tj=125℃

Eon Tj=150℃

Eoff Tj=150℃

V_CC=600V

R_G=1.1Ω

V_GE=±15V

V_CC=600V

I_C=150A

V_GE=±15V

50 100 150 200 250 300

I_C[A]

R_G[Ω]

Fig 3. IGBT Switching Loss vs. I_C

Fig 4. IGBT Switching Loss vs. R_G

6/25/2017 6/10 Preliminary

1...3 4 567 8 9 10

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