GBU6005-G

更新时间： 2024-02-06 14:41:27

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上华 - COMCHIP		整流二极管桥式整流二极管局域网
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描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBU6005-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Datasheet Url：	https://4donline.ihs.com/images/VipMasterIC/IC/COMC/COMC-S-A0004992985/COMC-S-A0004992985-1.pdf?hkey=EF798316E3902B6ED9A73243A3159BB0	Objectid：	8326586811
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	compound_id：	181738237
风险等级：	5.78	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	50 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	50 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU6005-G 数据手册

Glass Passivated Bridge Rectifiers

GBU6005-G Thru. GBU610-G

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 6.0A

RoHS Device

GBU

Features

-Surge overload rating - 175 amperes peak.

-Ideal for printed circuit board.

0.437(11.1)

0.430(10.9)

0.139(3.53)

0.133(3.37)

0.874(22.2)

0.860(21.8)

0.126(3.2)*45°

Chamfer

0.161(4.1)

0.134(3.4)

0.232(5.90)

0.213(5.40)

0.752(19.1)

0.720(18.3)

Mechanical Data

0.401(10.2)

0.073(1.85)

0.057(1.45)

0.392(9.80)

-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.

-Case: Molded plastic, GBU

-Mounting position: Any

-Weight: 3.91grams

0.100(2.54)

0.085(2.16)

0.720(18.29)

0.106(2.7)

0.091(2.3)

0.680(17.27)

0.080(2.03)

0.065(1.65)

0.047(1.2)

0.035(0.9)

0.022(0.56)

0.018(0.46)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

GBU

Symbol

Parameter

Unit

6005-G

601-G

602-G

604-G

606-G

608-G

610-G

1000

700

Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage

RRM

RMS

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

Maximum RMS Voltage

VDC

100

1000

Maximum DC Blocking Voltage

6.0

2.8

Maximum Average Forward (With heatsink Note2)

Rectified Current @Tc=100°C (without hestsink)

(AV)

Peak Forward Surage Current ,

8.3ms Single Half Sine-Wave

IFSM

175

Super Imposed On Rated Load(JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage Drop

Per Bridge Element at 3.0A Peak

1.1

@TJ=25°C

@TJ=125°C

10.0

500

Maximum Reverse Current

At Rate DC Blocking Voltage

μA

I²T Rating for Fusing(t<8.3ms)

A²s

I²t

127

Typical Junction Capacitandce Per Element

(Note 1)

Typical Thermal Resistance

RθJC

2.2

°C/W

°C

Operating Temperature Range

-55 to +150

Storage Temperature Range

Notes:

TSTG

°C

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2. Device mounted on 75mm*75mm*1.6mm Cu plate heatsink.

REV:A

Page 1

QW-BBR71

Comchip Technology CO., LTD.

12 3

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与GBU6005-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBU6-005-LFR	FRONTIER	6A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
GBU601	FCI	6.0Amps Glass Passivated Single Phase Silico n Bridge	获取价格
GBU601	FORMOSA	SURFACE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBU601	ASEMI	6.0A Single-Phase Bridge Rectifier	获取价格
GBU601	LGE	Single Phase 6.0AMP.Glass Passivated Bridge Rectifiers	获取价格
GBU601	CTC	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格

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