GBS4M

更新时间： 2024-02-21 04:43:33

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管桥式整流二极管 IOT
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描述
Silicon-Bridge Rectifiers

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GBS4M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSIP-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.05 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T4	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	90 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	2.3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBS4M 数据手册

GBS 4A ... GBS 4M

Silicon-Bridge Rectifiers

Silizium-Brückengleichrichter

Nominal current – Nennstrom

4 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50…1000 V

3.5

Type

Plastic case

19 x 3.5 x 10 [mm]

Typ

Kunststoffgehäuse

1.2

Weight approx. – Gewicht ca.

1.3 g

0.25

0.8

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging: bulk

see page 22

Standard Lieferform: lose im Karton

siehe Seite 22

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

max. alternating input voltage

max. Eingangswechselspannung

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

V_VRMS[V]

GBS 4A

GBS 4B

GBS 4D

GBS 4G

GBS 4J

GBS 4K

GBS 4M

140

280

420

560

700

100

200

400

600

800

1000

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

T_A= 25ꢀC

I_FSM

i²t

80 A

90 A

Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

32 A²s

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50...+150ꢀC

T_S

)

Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

04.02.2003

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