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GBLA01-M3/51

更新时间： 2024-01-10 13:59:19
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威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

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GBLA01-M3/51 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSIP-T4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.62其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：100 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

GBLA01-M3/51 数据手册

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GBLA005 thru GBLA10  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
FEATURES  
• UL recognition file number E54214  
• Ideal for printed circuit boards  
• High surge current capability  
• Typical I less than 0.1 µA  
R
~
~
• High case dielectric strength  
~
~
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
Case Type GBL  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
General purpose use in AC/DC bridge full wave  
rectification for monitor, TV, printer, SMPS, adapter,  
audio equipment, and home appliances application.  
IF(AV)  
4.0 A  
VRRM  
IFSM  
IR  
50 V to 1000 V  
120 A  
5 µA  
MECHANICAL DATA  
VF  
1.0 V  
Case: GBL  
TJ max.  
150 °C  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked on body  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL GBLA005 GBLA01 GBLA02 GBLA04 GBLA06 GBLA08 GBLA10 UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward  
T
C = 50 °C (1)  
4.0  
3.0  
IF(AV)  
A
rectified output current at TA = 40 °C (2)  
Peak forward surge current single  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
I2t  
120  
60  
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
A2s  
°C  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Notes  
(1)  
Unit mounted on 3.0" x 3.0" x 0.11" thick (7.5 cm x 7.5 cm x 0.3 cm) aluminum plate  
Unit mounted on PCB at 0.375" (9.5 mm) lead length and 0.5" x 0.5" (12 mm x 12 mm) copper pads  
(2)  
Document Number: 89301  
Revision: 16-Nov-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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