GBL02-G

更新时间： 2024-01-07 17:16:42

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上华 - COMCHIP		整流二极管桥式整流二极管
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描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBL02-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PSIP-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T4	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBL02-G 数据手册

Glass Passivated Bridge Rectifiers

GBL005-G Thru. GBL10-G

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 4.0A

RoHS Device

2GBJ

Features

-Rating to 1000V PRV

-Surge overload rating - 125 amperes peak.

0.142(3.6)

0.133(3.4)

0.81(20.6)

0.77(19.6)

0.098(2.5)

*45°

Chamfer

0.44(11.2)

0.42(10.7)

0.106(2.7)

0.091(2.3)

Mechanical Data

0.043(1.1)

0.56(14.2)

0.50(12.7)

0.035(0.9)

-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.

-Case: Molded plastic, 2GBJ

-Polarit:As marked on Body

-Mounting position: Any

0.059(1.5)

0.051(1.3)

0.020(0.51)

0.015(0.38)

0.045(1.14)

0.035(0.90)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

-Weight: 2.151grams

0.210(5.3)

0.190(4.8)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25 ^OC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Symbol

GBL005-G GBL01-G GBL02-G GBL04-G GBL06-G GBL08-G GBL10-G

Parameter

Unit

RRM

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

RMS

100

1000

Maximum Average Forward Rectified

(AV)

4.0

125

Output Current @T =50°C

Peak Forward Surage Current ,

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed On Rated Load

IFSM

Maximum Forward Voltage Drop

Per Bridge Element at 4.0A Peak

1.1

10.0

1.0

Maximum Reverse Current At Rate

DC Blocking Voltage

μA

Maximum Reverse Current At Rate

DC Blocking Voltage @T =100°C

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

-55 to +150

TSTG

Notes:

1. Mounting Conditions,0.5” lead length maximum.

REV:A

Page 1

QW-BBR52

Comchip Technology CO., LTD.

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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