5秒后页面跳转
GBJ2004 PDF预览

GBJ2004

更新时间: 2024-02-23 12:44:39
品牌 Logo 应用领域
尼尔 - NELLSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 599K
描述
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

GBJ2004 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80Factory Lead Time:45 weeks
风险等级:1.56其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:400 V外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.05 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:240 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

GBJ2004 数据手册

 浏览型号GBJ2004的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GBJ2004的Datasheet PDF文件第2页 
RoHS  
GBJ20 Series RoHS  
Nell High Power Products  
Fig.1 Derating curve for output rectified current  
Fig.2 Maximum non-repetitive peak forward  
surge current per bridge element  
25  
20  
Single half-sine-wave  
(JEDEC method)  
300  
220  
T
= 25°C  
J
15  
10  
140  
60  
0
5
0
0
50  
100  
150  
1
10  
100  
Ambient temperature (°C)  
50H  
z
Fig.3 Typical reverse characteristics per  
bridge element  
Fig.4 Typical forward characteristics per  
bridge element  
100  
10  
100  
10  
1.0  
1.0  
0.1  
T
= 25°C  
J
0.01  
0.1  
0.5  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
0.7  
0.9  
1.1  
1.3  
Percent of rated peak reverse voltage (%)  
Forward voltage (v)  
Page 3 of 3  
www.nellsemi.com  

与GBJ2004相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GBJ2004A DYELEC SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

获取价格

GBJ2004A YANGJIE Bridge Rectifiers

获取价格

GBJ2004-B MCC Rectifier Diode,

获取价格

GBJ2004-BP MCC Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ,

获取价格

GBJ2004-BP-HF MCC Bridge Rectifier Diode, 20A, 400V V(RRM),

获取价格

GBJ2004-F DIODES 20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

获取价格