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GBI10J

更新时间: 2024-02-04 00:41:49
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

GBI10J 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSIP-W4针数:4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.68Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSIP-W4JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GBI10J 数据手册

 浏览型号GBI10J的Datasheet PDF文件第1页 
GBI 10A ... GBI 10M  
Fig. 1 : Forward characteristics (typical values)  
Fig. 2 : Rated forward current vs. ambient temperature  
2
15-10-2004 SCT  
© by SEMIKRON  

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