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G8941

更新时间： 2024-10-01 22:32:31

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HAMAMATSU		光电二极管光电二极管
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描述
InGaAs PIN photodiode

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G8941 数据手册

P H O T O D I O D E

InGaAs PIN photodiode

G8941 series

Sub-mount type photodiode for LD monitor

Features

Applications

Active area

LD monitor

G8941-01: φ1 mm

G8941-02: φ0.5 mm

G8941-03: φ0.3 mm

Miniature package: 2 × 2 × 1 mm

Precise chip position tolerance: 0.0ꢀ5 mm

ꢀ General rating

Parameter

G8941-01

G8941-02

G8941-03

Unit

Active area

f0.5

f0.3

ꢀ Absolute maximum ratings

Parameter

Symbol

Remark

G8941-01

G8941-02

G8941-03

Unit

Max^.

Reverse voltage

Operating

temperature

Storage

Topr

Tstg

-40 to +85

°C

-55 to +125

temperature

* In N²environment or in vacuum

ꢀ Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C)

G8941-01

G8941-02

G8941-03

Parameter

Symbol

Condition

Unit

µm

Min.

Typ. Max. Min.

0.9 to 1.7

0.9

Typ. Max. Min.

Typ. Max.

Spectral

response range

Photo sensitivity

0.9 to 1.7

0.8

0.9

0.95

0.5

0.8

0.9

0.95

0.3

l=1.31 µm

l=1.55 µm

V^R=5 V

A/W

0.85

0.95

0.85

Dark current

Shunt resistance

Terminal

capacitance

Cut-off

frequency

I^D

2.5

1.5

Rsh

V^R=10 mV

V^R=5 V,

f=1 MHz

V^R=5 V,

R^L=50 W

100

300

1000

200

400

MHz

Noise equivalent

power

NEP

2 × 10^-14

5 × 10¹²

8 × 10^-15

5 × 10¹²

4 × 10^-15

5 × 10¹²

W/Hz^1/2

l=lp

Detectivity

cmHz^1/2/W

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G8A00072C	ETC	获取价格	TEMPERATURE
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