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G8941-03

更新时间： 2024-10-01 22:32:31

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HAMAMATSU		光电二极管光电二极管
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3页	141K
描述
InGaAs PIN photodiode

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G8941-03 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	2 X 2 MM, 1 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.60.50	风险等级：	5.61
配置：	SINGLE	最大暗电源：	1.5 nA
红外线范围：	YES	功能数量：	1
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	PIN PHOTODIODE	最小反向击穿电压：	20 V
形状：	ROUND	尺寸：	0.3 mm
Base Number Matches：	1

G8941-03 数据手册

P H O T O D I O D E

InGaAs PIN photodiode

G8941 series

Sub-mount type photodiode for LD monitor

Features

Applications

Active area

LD monitor

G8941-01: φ1 mm

G8941-02: φ0.5 mm

G8941-03: φ0.3 mm

Miniature package: 2 × 2 × 1 mm

Precise chip position tolerance: 0.0ꢀ5 mm

ꢀ General rating

Parameter

G8941-01

G8941-02

G8941-03

Unit

Active area

f0.5

f0.3

ꢀ Absolute maximum ratings

Parameter

Symbol

Remark

G8941-01

G8941-02

G8941-03

Unit

Max^.

Reverse voltage

Operating

temperature

Storage

Topr

Tstg

-40 to +85

°C

-55 to +125

temperature

* In N²environment or in vacuum

ꢀ Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C)

G8941-01

G8941-02

G8941-03

Parameter

Symbol

Condition

Unit

µm

Min.

Typ. Max. Min.

0.9 to 1.7

0.9

Typ. Max. Min.

Typ. Max.

Spectral

response range

Photo sensitivity

0.9 to 1.7

0.8

0.9

0.95

0.5

0.8

0.9

0.95

0.3

l=1.31 µm

l=1.55 µm

V^R=5 V

A/W

0.85

0.95

0.85

Dark current

Shunt resistance

Terminal

capacitance

Cut-off

frequency

I^D

2.5

1.5

Rsh

V^R=10 mV

V^R=5 V,

f=1 MHz

V^R=5 V,

R^L=50 W

100

300

1000

200

400

MHz

Noise equivalent

power

NEP

2 × 10^-14

5 × 10¹²

8 × 10^-15

5 × 10¹²

4 × 10^-15

5 × 10¹²

W/Hz^1/2

l=lp

Detectivity

cmHz^1/2/W

12 3

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