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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | R-XXMA-X | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VOLTAGE MULTIPLIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XXMA-X | JESD-609代码： | e0 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G34100D1EN1S | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G34100D1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G34100D1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G34100D1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G34100D1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G34100D1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G34100H1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G34100H1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G34100H1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G34100H1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
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