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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-XXMA-X |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XXMA-X | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G34100M1EN1S | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G34100M1FB1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G34100M1FC1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G34100M1TBC1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G34100N1EB1S | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G34100N1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G34100N1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G34100N1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G34100N1TB1S | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G34100N1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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