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FTT1010-M/EG

更新时间： 2024-01-13 23:56:19

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恩智浦 - NXP		传感器图像传感器
页数	文件大小	规格书
17页	172K
描述
Frame Transfer CCD Image Sensor

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FTT1010-M/EG 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
水平像素：	1030	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-40 °C
像素大小：	12X12 µm	子类别：	CCD Image Sensors
表面贴装：	NO	垂直像素：	1072
Base Number Matches：	1

FTT1010-M/EG 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Frame Transfer CCD Image Sensor

FTT1010-M

Package information

Top cover glass to top chip 2.4 ± 0.25

Chip - bottom package 1.7 ± 0.15

Chip - cover glass 1.3 ± 0.20

Cover glass 1.0 ± 0.05

SENSOR CRYSTAL

A ZONE

COVER GLASS

Image sensor chip

1.4 /100

TOP VIEW

INDEX

MARK

PIN 1

0.15

COVER GLASS

0.40

(2.54)

0.46 0.05

STAND-OFF PIN

A is the center of the image area.

Position of A:

26 ± 0.15 to left edge of package

20 ± 0.10 to bottom of package

Angle of rotation: less than ± 1⁰

Sensor flatness: < 7 µm (P-V)

BOTTOM VIEW

Cover glass: Corning 7059

Thickness of cover glass: 1.00 ± 0.05

Refractive index: n_d= 1.53

Single sided AR coating inside (430-660 nm)

All drawing units are in mm

35.56 ± 0.20

Figure 14 - Mechanical drawing of the PGA package of the FTT1010-M

1999 September

1...13 14 151617

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FTT1010-M/HG	NXP	Frame Transfer CCD Image Sensor	获取价格
FTT1010-M/IG	NXP	Frame Transfer CCD Image Sensor	获取价格
FTT1010-M/TG	NXP	Frame Transfer CCD Image Sensor	获取价格
FTT120000FTP	RALEC	全无铅厚膜芯片电阻	获取价格
FTT12000JTP	RALEC	全无铅厚膜芯片电阻	获取价格
FTT121000DTP	RALEC	全无铅厚膜芯片电阻	获取价格