FSQ05A06

更新时间： 2024-11-15 23:14:51

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NIEC		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	56K
描述
Schottky Barrier Diode

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FSQ05A06 数据手册

SBD T y p e : FSQ05A06

■OUTLINE DRAWING

構造

：ショトキバリアダイオード(S B D)

Construction: Schottky Barrier Diode

用途

：高周波整流用

Application : High Frequency Rectification

■最大定格 / Maximum Ratings

Approx Net Weight:1.7g

Symbol

V_RRM

FSQ05A06

Rating

Unit

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

50 Hz、正弦半波通電抵抗負荷

平均整流電流

Average Rectified Output Current

I_O

Tc=115℃ Half Sine Wave,

Resistive Load

実効順電流

RMS Forward Current

サージ順電流

I_F(RMS)

I_FSM

7.85

50 Hz 正弦半波, 1サイクル, 非くり返し

Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive

110

Surge Forward Current

動作接合温度範囲

Tjw

- 40 ～ + 150

℃

N･m

Operating JunctionTemperature Range

保存温度範囲

Tstg

Ftor

Storage Temperature Range

締付けトルク

（推奨値recommended torque=0.5）

Mounting torque

■電気的・熱的特性 / Electrical ･ Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

I_RM

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

ピーク逆電流

Peak Reverse Current

ピーク順電圧

Tj= 25 ℃, V_RM= V_RRM

0.58

V_FM

Tj= 25 ℃, I_FM= 5 A

Peak Forward Voltage

接合部・ケース間

熱抵抗

Thermal

Resistance

Rth(j-c)Junction to Case

Rth(c-f)Cace to Fin

℃/W

Junction to Case

ケース・フィン間

Cace to Fin

1.5 ℃/W

12 3 4 5 6

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