5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FSL110R
FSL110R PDF预览

FSL110R

更新时间： 2024-01-17 01:04:23
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
8页 62K
描述
3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

阅读下载

获取价格

FSL110R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
其他特性：RADIATION HARDENED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：15 W最大功率耗散 (Abs)：15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.5 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：85 ns
最大开启时间（吨）：90 ns

FSL110R 数据手册

 浏览型号FSL110R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FSL110R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FSL110R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FSL110R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FSL110R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FSL110R的Datasheet PDF文件第7页 
FSL110D, FSL110R  
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
FSL110D, FSL110R  
UNITS  
Drain to Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
V
V
DS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
DGR  
Continuous Drain Current  
o
T
T
= 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
3.5  
2.5  
A
A
A
V
C
D
o
= 100 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
C
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
10.5  
±20  
DM  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Maximum Power Dissipation  
o
T
T
= 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
15  
6
W
W
C
T
o
= 100 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
C
T
o
Linear Derating Factor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Single Pulsed Avalanche Current, L = 100µH, (See Test Figure) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
0.12  
10.5  
3.5  
W/ C  
A
A
A
AS  
Continuous Source Current (Body Diode) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
S
SM  
Pulsed Source Current (Body Diode). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
10.5  
-55 to 150  
300  
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
C
J
STG  
o
Lead Temperature (During Soldering) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
(Distance >0.063in (1.6mm) from Case, 10s Max)  
C
L
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
o
Electrical Specifications T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
PARAMETER  
Drain to Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
SYMBOL  
BV  
TEST CONDITIONS  
= 1mA, V = 0V  
MIN  
TYP  
MAX  
-
UNITS  
V
I
100  
-
DSS  
D
GS  
o
V
V
= V  
,
T
T
T
T
T
T
T
= -55 C  
-
1.5  
0.5  
-
-
5.0  
4.0  
-
V
GS(TH)  
GS  
= 1mA  
DS  
C
C
C
C
C
C
C
I
o
D
= 25 C  
-
V
o
= 125 C  
-
V
o
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
I
V
V
= 80V,  
DS  
= 25 C  
-
25  
µA  
µA  
nA  
nA  
V
DSS  
= 0V  
o
GS  
= 125 C  
-
-
250  
100  
200  
2.21  
0.600  
0.960  
30  
o
I
V
= ±20V  
= 25 C  
-
-
GSS  
GS  
o
= 125 C  
-
Drain to Source On-State Voltage  
Drain to Source On Resistance  
V
V
= 12V, I = 3.5A  
-
DS(ON)  
GS  
D
o
r
I
= 2.5A,  
T
T
= 25 C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.520  
Ω
DS(ON)12  
D
C
V
= 12V  
o
GS  
= 125 C  
-
-
Ω
C
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
t
V
R
R
= 50V, I = 3.5A,  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
nC  
nC  
V
d(ON)  
DD  
D
= 14.3Ω, V 12V,  
L
GS  
t
-
60  
r
= 7.5Ω  
GS  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
-
30  
d(OFF)  
t
-
55  
f
Total Gate Charge  
Q
V
= 0V to 20V  
= 0V to 12V  
= 0V to 2V  
V
= 50V,  
-
15  
g(TOT)  
GS  
DD  
= 3.5A  
I
D
Gate Charge at 12V  
Threshold Gate Charge  
Gate Charge Source  
Gate Charge Drain  
Q
V
7.6  
-
8.5  
0.62  
2.8  
4.9  
-
g(12)  
g(TH)  
GS  
Q
V
GS  
Q
2.2  
4.3  
8
gs  
gd  
Q
Plateau Voltage  
V
I
= 3.5A, V  
= 15V  
(PLATEAU)  
D
DS  
= 25V, V = 0V,  
GS  
Input Capacitance  
C
V
155  
70  
20  
-
-
pF  
pF  
pF  
ISS  
DS  
f = 1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Thermal Resistance Junction to Case  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
C
C
-
OSS  
-
RSS  
o
R
8.3  
175  
C/W  
JC  
JA  
θ
o
R
-
C/W  
θ
4-2  
12345678

下载PDF

与FSL110R相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FSL110R1 INTERSIL 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

获取价格
FSL110R3 INTERSIL 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

获取价格
FSL110R4 INTERSIL 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

获取价格
FSL116HR FAIRCHILD Green Mode Fairchild Power Switch

获取价格
FSL116HR ONSEMI 650V 集成电源开关，带 100kHz 频率和可调电流限值，用于 14W 离线反激转换器

获取价格
FSL116LR FAIRCHILD Green Mode Fairchild Power Switch (FPS™)

获取价格

与FSL110R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证