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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FS10ASH-06-T2 | MITSUBISHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10ASH2 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 |
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| FS10ASH-2 | MITSUBISHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10ASH-2-T1 | MITSUBISHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10ASH-2-T2 | MITSUBISHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10ASH3 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 |
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