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FRX130D1

更新时间： 2024-02-06 01:16:50

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	75K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, LCC-18

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FRX130D1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N18
针数：	18	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
其他特性：	RADIATION HARDENED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N18	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	18
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	11.4 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FRX130D1 数据手册

FRX130D, FRX130R,

FRX130H

Radiation Hardened

N-Channel Power MOSFETs

April 1998

Features

Description

• 6A, 100V, r

DS(ON)

= 0.180Ω

The Intersil has designed a series of SECOND GENERA-

TION hardened power MOSFETs of both N-Channel and

• Second Generation Rad Hard MOSFET Results From

New Design Concepts

P-Channel enhancement types with ratings from 100V to

500V, 1A to 60A, and on resistance as low as 25mΩ. Total

dose hardness is offered at 100K RAD (Si) and 1000K RAD

• Gamma

(Si) with neutron hardness ranging from 1E13n/cm for

- Meets Pre-RAD Speciﬁcations to 100K RAD (Si)

500V product to 1E14n/cm for 100V product. Dose rate

- Deﬁned End-Point Specs at 300K RAD (Si) and

1000K RAD (Si)

hardness (GAMMA DOT) exists for rates to 1E9 without

current limiting and 2E12 with current limiting.

- Performance Permits Limited Use to 3000K RAD (Si)

• Dose Rate

This MOSFET is an enhancement-mode silicon-gate power

ﬁeld effect transistor of the vertical DMOS (VDMOS) struc-

ture. It is specially designed and processed to exhibit mini-

mal characteristic changes to total dose (GAMMA) and

- Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80% BV

DSS

- Typically Survives 2E12 if Current Limited to I

neutron (n ) exposures. Design and processing efforts are

• Photo Current

also directed to enhance survival to heavy ion (SEU) and/or

dose rate (GAMMA DOT) exposure.

- 1.50nA Per-RAD (Si)/s Typically

• Neutron

This part may be supplied as a die or in various packages

other than shown above. Reliability screening is available

as either non TX (commercial), TX equivalent of MIL-S-

19500, TXV equivalent of MIL-S-19500, or space equiva-

lent of MIL-S-19500. Contact the Intersil High-Reliability

Marketing group for any desired deviations from the data

sheet.

- Maintain Pre-RAD Speciﬁcations

for 3E13 Neutrons/cm

- Usable to 3E14 Neutrons/cm

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

FRX130D1

18 Ld CLCC

Symbol

FRX130D3

18 Ld CLCC

FRX130D3

FRX130R1

FRX130R3

FRX130R4

FRX130H4

FRX130R1

FRX130R3

FRX130R4

FRX130H4

Package

18 LEAD CLCC

FRX130D, FRX130R, FRX130H Rev. A

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FRX130D2	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| LLCC	获取价格
FRX130D3	INTERSIL	Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs	获取价格
FRX130D4	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| LLCC	获取价格
FRX130H	INTERSIL	Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs	获取价格
FRX130H1	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| LLCC	获取价格
FRX130H2	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| LLCC	获取价格

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