FR306GP-TP-HF

更新时间： 2024-02-08 16:12:38

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美微科 - MCC		/
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4页	439K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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FR306GP-TP-HF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.33
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.5 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

FR306GP-TP-HF 数据手册

FR301 thru FR307

M C C

Figure 1

Typical Forward Characteristics

Micro Commercial Components

Figure 2

Forward Derating Curve

3.0

2.5

2.0

25°C

Amps

1.5

1.0

Amps

.06

.04

Single Phase, Half Wave

60Hz Resistive or Inductive Load

100

125

150

175

°C

.02

.01

Average Forward Rectified Current - Amperesversus

Ambient Temperature -°C

1.4

1.0

Volts

Instantaneous Forward Current - Amperesversus

Instantaneous Forward Voltage - Volts

Figure 3

Junction Capacitance

100

T_J=25°C

400

1000

10 20

200

100

Volts

Junction Capacitance - pFversus

Reverse Voltage - Volts

www.mccsemi.com

3 of 4

Revision: A

2011/01/01

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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