FR106-TB

更新时间： 2024-01-24 01:08:36

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WTE		整流二极管快速恢复二极管
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3页	48K
描述
1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

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FR106-TB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.3
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.5 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

FR106-TB 数据手册

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

0.1

Single phase half-wave

60 Hz resistive or inductive load

T_j= 25°C

Pulse width = 300 µs

0.01

100

125

150 175

200

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Derating Curve

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

T_j= 25°C

f = 1MHz

Pulse Width 8.3ms

Single Half-Sine-Wave

(JEDEC Method)

100

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Peak Forward Surge Current

100

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance

t_rr

+0.5A

50Ω NI (Non-inductive)

10Ω NI

Device

Under

Test

(-)

(+)

Pulse

Generator

(Note 2)

50V DC

Approx

-0.25A

(-)

1.0Ω

(+)

Oscilloscope

(Note 1)

Notes:

1. Rise Time = 7.0ns max. Input Impedance = 1.0MΩ, 22pF.

2. Rise Time = 10ns max. Input Impedance = 50Ω.

-1.0A

Set time base for 5/10ns/cm

Fig. 5 Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit

FR101 – FR107

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与FR106-TB相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FR106U01	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
FR106U02	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
FR106U06	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
FR106W	HORNBY	SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER	获取价格
FR107	JINANJINGHENG	FAST RECOVERY RECTIFIER	获取价格
FR107	RFE	LEADED (THRU-HOLE) General Purpose & Fast Recovery Rectifiers	获取价格