FR103GP-AP

更新时间： 2024-01-28 12:09:13

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美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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FR103GP-AP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, A-405, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.15 µs	反向测试电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

FR103GP-AP 数据手册

M C C

FR101

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

THRU

FR107

Features

1 Amp

Silicon Rectifier

50 to 1000 Volts

Low Cost

Low Leakage

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

Fast Switching Speed For High Efficiency

DO-41

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

FR101

FR102

FR103

FR104

FR105

FR106

FR107

---

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

40V

200V

Cathode

Mark

280V

420V

560V

700V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

1 A

T_A= 55°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine

Maximum

_FM= 1.0A;

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Maximum Reverse

Recovery Time

FR101-104

FR105

FR106-107

Typical Junction

Capacitance

V_F

I_R

1.3V

T_A= 25°C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.166

.080

.028

MIN

5.0mA T_A= 25°C

100mA T_A= 100°C

DIM

MAX

.205

.107

.034

---

MAX

5.20

2.70

.90

NOTE

4.10

2.00

.70

1.000

25.40

---

T_rr

C_J

150ns I_F=0.5A, I_R=1.0A,

250ns I_rr=0.25A

500ns

15pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

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