FR10-005R-B

更新时间： 2024-02-15 03:08:48

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FRONTIER		整流二极管快速恢复二极管
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

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FR10-005R-B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.15 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

FR10-005R-B 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVE FR10-005 THRU FR10-10

FIG. 1-TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE

RECOVERY TIME CHARACTERISTIC

50Ω

10Ω

NO INDUCTIVE

Trr

NO INDUCTIVE

+0.5A

(-)

D.U.T.

PULSE

GENERATOR

( NOTE 2 )

(+)

25 V_dc

(approx)

-0.25A

1Ω

NON

INDUCTIVE

OSCILLOSCOPE

(+)

(-)

( NOTE 1 )

-1.0A

NOTE: 1. RISE TIME=7ns MAX. INPUT

IMPEDANCE=1 MOhms 22PF

2. RISE TIME =10ns MAX. SOURCE

IMPEDANCE=50 OHMS

1cm

SET TIME BASE

FOR 10/20 ns/cm

Fig. 2-MAXIMUM CURRENT DERATING CURVE

RESISTIVE OR

INDUCTIVE LOAD

0.375”(9.5mm)

1.0

LEAD LENGTH

0.8

0.6

I(pk)

Fig. 5-MAXIMUM FORWARD SURGE

NUMBER OF CYCLES

=π

I(AV)

CAPACITIVE

LOAD

0.4

0.2

I(pk)

T_A=75^oC

8.3ms SINGLE HALF

SINE-WAVE JEDEC METHOD

= 10

I(AV)

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

T_A-AMBIENT TEMPERATURE (^OC)

FIG. 3-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

1.0 CYCLE

Tj=25^oC

100

NUMBER OF CYCLES AT 60 HZ

FIG. 6-TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARACTERISTICS

f = 1 MHz

Vsig = 50 mVp-p

100

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

Tj=25^oC

100

PULSE WIDTH =300us

1% DUTY CYCLE

T_J=100^oC

.03

.01

0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

0.1

.01

T_J=25^oC

INSTANTANEOUS FORWARD

VOLTAGE, (V)

60 80 100 120 140

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE

FR10-005 THRU FR10-10

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