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FPN430AD26Z

更新时间： 2024-02-29 08:22:30

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	440K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AE

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FPN430AD26Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JEDEC-95代码：	TO-226AE	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

FPN430AD26Z 数据手册

PNP Low Saturation Transistor

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min Max Units

OFF CHARACTERISTICS

BV_CEO

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

I_C= 10 mA, I_B= 0

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_C= 100 µA, I_E= 0

I_E= 100 µA, I_C= 0

5.0

V_CB= 30 V, I_E= 0

V_CB= 30 V, I_E= 0, T_A= 100°C

V_EB= 4.0 V, I_C= 0

100

µA

I_EBO

Emitter Cutoff Current

ON CHARACTERISTICS*

h_FE

DC Current Gain

100

250

I_C= 100 mA, V_CE= 2.0 V

_C= 1.0 A, V_CE= 2.0 V

430

430A

I_C= 2.0 A, V_CE= 2.0 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500

450

800

I_C= 1.0 A, I_B= 100 mA

430

430A

V_CE(sat)

_C= 2.0 A, I_B= 200 mA

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 1.0 A, I_B= 100 mA

1.25

V_BE(sat)

V_BE(on)

I_C= 1.0 A, V_CE= 2.0 V

1.0

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Output Capacitance

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1.0 MHz

C_obo

F_T

Transition Frequency

I_C= 100 mA, V_CE= 5.0 V,

f = 100 MHz

100

MHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

NOTE: All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

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