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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 3.0303 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FP1J3P-T1B | RENESAS | 700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
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| FP1J3P-T2B | RENESAS | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| FP1J3P-T2B-AT | RENESAS | PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,25V V(BR)CEO,700MA I(C),SOT-346 |
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| FP1L2Q | NEC | on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| FP1L2Q-A | NEC | 暂无描述 |
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| FP1L2Q-T1B | RENESAS | 700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
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