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FODM121AV PDF预览

FODM121AV

更新时间： 2024-01-16 04:48:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 255K
描述
4 引脚全间距，微型扁平封装光电晶体管光耦合器

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FODM121AV 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：MINI-FLAT PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.29
其他特性：UL RECOGNIZED, VDE APPROVEDColl-Emtr Bkdn Voltage-Min：80 V
配置：SINGLE当前传输比率-最小值：100%
标称电流传输比：100%最大暗电源：100 nA
最大正向电流：0.05 A最大正向电压：1.3 V
最大绝缘电压：3750 VJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT元件数量：1
最大通态电流：0.08 A最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：0.15 W子类别：Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

FODM121AV 数据手册

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FODM121 Series, FODM124, FODM2701, FODM2705  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C Unless otherwise specified.  
A
Symbol  
Parameter  
Device  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS  
Emitter  
V
F
Forward Voltage  
FODM121 Series,  
FODM124  
IF = 10 mA  
1.0  
−
−
1.3  
1.4  
V
FODM2701  
FODM2705  
IF = 5 mA  
I = 5 mA  
−
F
I
R
Reverse Current  
FODM121 Series,  
FODM124,  
FODM2701  
V
R
= 5 V  
−
−
5
mA  
Detector  
BV  
Collector−Emitter Breakdown  
FODM121 Series,  
FODM124  
I
= 1 mA, I = 0  
80  
40  
7
−
−
−
−
−
V
CEO  
ECO  
C
F
Voltage  
FODM2701,  
FODM2705  
BV  
Emitter−Collector Breakdown  
Voltage  
All  
I = 100 mA, I = 0  
E
−
V
F
I
Collector Dark Current  
Capacitance  
All  
All  
V
= 40 V, I = 0  
−
−
−
100  
nA  
pF  
CEO  
CE  
F
C
V
CE  
= 0 V, f = 1 MHz  
10  
CE  
TRANSFER CHARACTERISTICS  
CTR  
DC Current Transfer Ratio  
FODM2701  
FODM2705  
FODM121  
FODM121A  
FODM121B  
FODM121C  
FODM124  
I = 5 mA, V = 5 V  
50  
50  
50  
100  
50  
100  
100  
50  
0.3  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
3
300  
300  
600  
300  
150  
200  
1200  
−
%
F
CE  
I = 5 mA, V = 5 V  
F
CE  
I = 5 mA, V = 5 V  
F
CE  
I = 1 mA, V = 0.5 V  
F
CE  
I = 0.5 mA, V = 1.5 V  
F
CE  
CTR Symmetry  
FODM2705  
FODM121 Series  
FODM124  
FODM2701  
FODM2705  
All  
I = 5 mA, V = 5 V  
3.0  
0.4  
0.4  
0.3  
0.3  
−
F
CE  
V
Saturation Voltage  
I = 8 mA, I = 2.4 mA  
V
CE(SAT)  
F
C
I = 1 mA, I = 0.5 mA  
−
F
C
I = 10 mA, I = 2 mA  
−
F
C
I = 10 mA, I = 2 mA  
−
F
C
t
r
Rise Time  
(Non−Saturated)  
I
= 2 mA, V = 5 V,  
L
−
ms  
ms  
C
CE  
R = 100 W  
t
f
Fall Time  
(Non−Saturated)  
All  
I
= 2 mA, V = 5 V,  
L
−
3
−
C
CE  
R = 100 W  
ISOLATION CHARACTERISTICS  
V
ISO  
Steady State Isolation Voltage  
(Note 2)  
All  
1 minute  
3750  
−
−
VAC  
RMS  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
2. Steady state isolation voltage, V , is an internal device dielectric breakdown rating. For this test, pins 1 and 2 are common, and pins 3 and  
ISO  
4 are common.  
www.onsemi.com  
3
 
1234567...9

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