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FOD814300W

更新时间： 2024-01-25 09:19:53
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输入元件输出元件晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 534K
描述
4 引脚 DIP 光电晶体管光耦合器

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FOD814300W 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, DIP-4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.64
其他特性：UL APPROVED, VDE APPROVEDColl-Emtr Bkdn Voltage-Min：70 V
配置：SINGLE当前传输比率-最小值：20%
标称电流传输比：20%最大暗电源：100 nA
最大正向电流：0.05 A最大正向电压：1.4 V
最大绝缘电压：5000 VJESD-609代码：e3
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT元件数量：1
最大通态电流：0.05 A最高工作温度：105 °C
最低工作温度：-55 °C光电设备类型：AC INPUT-TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：0.2 W最长响应时间：0.000018 s
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

FOD814300W 数据手册

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Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise specified.  
Individual Component Characteristics  
Symbol  
EMITTER  
Parameter  
Device  
Test Conditions  
Min.  
Typ. Max. Unit  
FOD814  
FOD817  
FOD817  
FOD814  
FOD817  
IF = ±20 mA  
IF = 20 mA  
1.2  
1.2  
1.4  
1.4  
10  
VF  
IR  
Forward Voltage  
V
Reverse Current  
VR = 4.0 V  
µA  
pF  
V = 0, f = 1 kHz  
V = 0, f = 1 kHz  
50  
30  
250  
250  
Ct  
Terminal Capacitance  
DETECTOR  
FOD814  
FOD817  
FOD814  
FOD817  
FOD814  
FOD817  
VCE = 20 V, IF = 0  
100  
100  
ICEO  
Collector Dark Current  
nA  
V
V
CE = 20 V, IF = 0  
IC = 0.1 mA, IF = 0  
IC = 0.1 mA, IF = 0  
IE = 10 µA, IF = 0  
IE = 10 µA, IF = 0  
70  
70  
6
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
BVCEO  
BVECO  
Emitter-Collector Breakdown  
Voltage  
V
6
DC Transfer Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Device  
FOD814  
Test Conditions  
Min.  
20  
Typ. Max. Unit  
300  
150  
600  
IF = ±1 mA, VCE = 5 V  
FOD814A  
FOD817  
50  
50  
CTR  
Current Transfer Ratio(2)  
FOD817A  
80  
160  
260  
400  
600  
0.2  
%
V
FOD817B IF = 5 mA, VCE = 5 V  
FOD817C  
130  
200  
300  
FOD817D  
FOD814  
FOD817  
IF = ±20 mA, IC = 1 mA  
IF = 20 mA, IC = 1 mA  
0.1  
0.1  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(SAT)  
0.2  
AC Transfer Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Device  
Test Conditions  
Min.  
Typ. Max. Unit  
VCE = 5 V, IC = 2 mA,  
RL = 100 , -3 dB  
fC  
Cut-Off Frequency  
FOD814  
15  
80  
4
kHz  
µs  
FOD814,  
FOD817  
tr  
Response Time (Rise)  
Response Time (Fall)  
18  
18  
VCE = 2 V, IC = 2 mA,  
RL = 100 (3)  
FOD814,  
FOD817  
tf  
3
µs  
Notes:  
2. Current Transfer Ratio (CTR) = IC / IF x 100%.  
3. For test circuit setup and waveforms, refer to page 7.  
www.onsemi.com  
4
1234567...12

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