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FOD3182S

更新时间： 2024-01-06 21:15:20

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		驱动输出元件光电驱动器
页数	文件大小	规格书
21页	447K
描述
3 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器

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FOD3182S 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	DIP-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.40.80.00
Factory Lead Time：	7 weeks	风险等级：	1.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.016 A
最大正向电压：	1.8 V	最大绝缘电压：	5000 V
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
元件数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	LOGIC IC OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：	0.295 W	子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs
最小供电电压：	10 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

FOD3182S 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

3 A Output Current, High

Speed MOSFET Gate Driver

Optocoupler

PDIP8 6.6x3.81, 2.54P

CASE 646BW

PDIP8 9.655x6.61, 2.54P

CASE 646CQ

FOD3182

Description

The FOD3182 is a 3 A Output Current, High Speed MOSFET Gate

Drive Optocoupler. It consists of a aluminium gallium arsenide

(AlGaAs) light emitting diode optically coupled to a CMOS detector

with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit

power stage. It is ideally suited for high frequency driving of power

MOSFETS used in Plasma Display Panels (PDPs), motor control

inverter applications and high performance DC/DC converters.

The device is packaged in an 8−pin dual in−line housing compatible

with 260°C reflow processes for lead free solder compliance.

PDIP8 GW

CASE 709AC

PDIP8 GW

CASE 709AD

MARKING DIAGRAM

Features

• High Noise Immunity Characterized by 50 kV/ms (Typ.) Common

3182

Mode Rejection @ V = 2,000 V

VXXYYB

• Guaranteed Operating Temperature Range of −40°C to +100°C

• 3 A Peak Output Current

3182 = Device Number

= VDE Mark (Note: Only appears on parts

ordered with DIN EN/IEC 60747−5−2 option − See

• Fast Switching Speed

♦ 210 ns Max. Propagation Delay

♦ 65 ns Max. Pulse Width Distortion

• Fast Output Rise/Fall Time

ordering table)

= Two Digit Year Code, e.g., “11”

= Digit Work Week Ranging from “01” to “53”

= Assembly Package Code

• Offers Lower Dynamic Power Dissipation

• 250 kHz Maximum Switching Speed

• Wide V

perating Range: 10 V to 30 V

DD O

• Use of P−Channel MOSFETs at Output Stage Enables Output

Voltage Swing Close to the Supply Rail (Rail−to−Rail Output)

• 5000 Vrms, 1 Minute Isolation

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

ANODE

CATHODE

V_DD

V_O2

V_O1

V_SS

• Under Voltage Lockout Protection (UVLO) with Hysteresis –

Optimized for Driving MOSFETs

• Minimum Creepage Distance of 8.0 mm

• Minimum Clearance Distance of 10 mm to 16 mm (Option TV or

TSV)

• Minimum Insulation Thickness of 0.5 mm

• UL and VDE*

• 1,414 Peak Working Insulation Voltage (V

)

IORM

NOTE: A 0.1 mF bypass capacitor must be

*Requires “V” Ordering Option

connected between pins 5 and 8.

Applications

• Plasma Display Panel

• High Performance DC/DC Convertor

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 16 of

this data sheet.

• High Performance Switch Mode Power Supply

• High Performance Uninterruptible Power Supply

• Isolated Power MOSFET Gate Drive

Publication Order Number:

September, 2021 − Rev. 2

FOD3182/D

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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