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FM260-MH

更新时间： 2024-01-30 13:06:22

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美丽微 - FORMOSA		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	83K
描述
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

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FM260-MH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	60 µA
反向测试电压：	60 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FM260-MH 数据手册

Chip Schottky Barrier Diodes

Formosa MS

FM220-MH THRU FM2100-MH

Silicon epitaxial planer type

Features

SOD-123H

Plastic package has Underwriters Laboratory

FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame

RetardantEpoxy Molding Compound.

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.012(0.3) Typ.

For surface mounted applications.

0.071(1.8)

0.055(1.4)

Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /

228

Low leakage current.

0.035(0.9)

0.028(0.7)

0.031(0.8) Typ.

Mechanical data

Dimensions in inches and (millimeters)

Case : Molded plastic, JEDECSOD-123H

Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity : Indicated by cathode band

Mounting Position : Any

Weight : 0.0393 gram

MAXIMUM RATINGS (AT T_A=25 C unless otherwise noted)

PARAMETER

CONDITIONS

Symbol

I_O

MIN.

TYP.

MAX.

2.0

UNIT

Forward rectified current

See Fig.1

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rate load (JEDEC methode)

Forward surge current

I_FSM

V_R= V_RRMT_A= 25 C

0.5

Reverse current

I_R

V_R= V_RRMT_A= 125 C

Thermal resistance

Junction to ambient

Rq_JA

C_J

C / w

Diode junction capacitance

Storage temperature

f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage

160

T_STG

-55

+150

Operating

MARKING

V_RRM

V_RMS

V_R

V_F

temperature

SYMBOLS

CODE

( C)

(V)

FM220-MH

FM230-MH

FM240-MH

FM250-MH

FM260-MH

FM280-MH

FM2100-MH

100

0.50

-55 to +125

*1 Repetitive peak reverse voltage

*2 RMS voltage

0.70

-55 to +150

*3 Continuous reverse voltage

*4 Maximum forward voltage

0.85

100

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与FM260-MH相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FM260-N	FORMOSA	Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type	获取价格
FM260-W	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COM	获取价格
FM260-W-HF	RECTRON	Rectifier Diode,	获取价格
FM27C010	FAIRCHILD	1,048,576-Bit 128K x 8 High Performance CMOS EPROM	获取价格
FM27C010N120	FAIRCHILD	1,048,576-Bit 128K x 8 High Performance CMOS EPROM	获取价格
FM27C010N150	FAIRCHILD	1,048,576-Bit 128K x 8 High Performance CMOS EPROM	获取价格