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FM1608S-180CI

更新时间： 2024-09-23 20:50:35
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 58K
描述
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28

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FM1608S-180CI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.74
最长访问时间：180 ns其他特性：FERROELECTRIC RAM
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.00005 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

FM1608S-180CI 数据手册

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FM1608S FRAM® Memory  
65,536-Bit Nonvolatile Ferroelectric RAM  
Product Specification  
Features  
■ 10 Year Data Retention without Power  
■ Single 5 Volt ±10% Supply  
■ Low Power Consumption  
- Active Current: 25mA  
- Standby Current: 50µA  
■ 65,536 Bit Bytewide Nonvolatile Ferroelectric RAM  
Organized as 8,192 x 8  
■ CMOS Technology with Integrated Ferroelectric Storage Cells  
■ Fully Synchronous Operation  
- 180ns Read Access  
■ CMOS/TTL Compatible I/O Pins  
■ 28 Pin DIP and SOP Packages  
■ -40° to +85°C Ambient Operating Temperature Range  
- 320ns Read/Write Cycle Time  
■ Ultra-High Endurance  
- 10 Billion (1010) Read/Write Cycle Endurance  
■ On Chip Data Protection Circuit  
Description  
®
The FM1608S is a bytewide ferroelectric RAM, or FRAM  
The ferroelectric cells are polarized on each read or write cycle,  
therefore no special store or recall sequence is required. The  
memory is always static and nonvolatile.  
Ramtron's FRAM products operate from a single +5 volt power  
supply and are TTL/CMOS compatible on all inputs and outputs. The  
FM1608S utilizes the JEDEC standard bytewide SRAM pinout, but  
differs slightly in operation due to the integrated address latch.  
product, organized as 8k x 8. FRAM memory products from Ramtron  
combine the read/write characteristics of semiconductor RAM with  
nonvolatile data retention.  
This product is manufactured in a 0.8-micron Si gate CMOS  
technology with the addition of integrated thin film ferroelectric  
storage cells developed and patented by Ramtron.  
Pin Configuration  
Functional Diagram  
CE  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
28  
27  
V
CC  
256 x 256  
A
WE  
26 NC  
12  
FRAM  
A
3-9,11,12  
A
Memory  
Array  
7
A
25  
24  
23  
22  
21  
20  
A
6
8
A
A
9
A
11  
5
A
4
Column Decoder  
A
OE  
3
A
A
2
10  
A
CE  
1
A
19 I/O7  
18 I/O6  
17 I/O5  
16 I/O4  
15 I/O3  
0
A
0-2,10  
I/O0 11  
I/O1 12  
I/O2 13  
GND 14  
I/O  
I/O Latch & Buffer  
0-7  
WE  
OE  
Control Logic  
Ramtron reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
© 1995 Ramtron International Corporation, 1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
Telephone (800) 545-FRAM, (719) 481-7000; Fax (719) 488-9095 R8 September 1995  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM1608S180SI ETC

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 		NVRAM (Ferroelectric Based)
FM1608S-180SI RAMTRON

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 		Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28
FM160B RECTRON

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FM160B-HF RECTRON

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