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FLU17XM

更新时间： 2024-01-17 10:08:54

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE XM, 3 PIN

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FLU17XM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	MICROWAVE, R-CQMW-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.32	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CQMW-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FLU17XM 数据手册

FLU17XM

L-Band Medium & High Power GaAs FET

+90°

+j50

0.5 GHz

+j100

+j25

+j250

+j10

0.5 GHz

3 1.5

50Ω

100

250

180°

0°

.05

0.1

SCALE FOR |S

0.5 GHz

-j10

-j250

0.5 GHz

-j25

-j100

-90°

-j50

S-PARAMETERS

= 10V, I = 360mA

S21

FREQUENCY

(MHZ)

S11

S12

S22

MAG

ANG

MAG

ANG

MAG

ANG

MAG

ANG

100

500

.954

.839

.831

.824

.825

.820

.809

.794

.775

.739

-33.9

-112.6

-146.9

-162.5

-172.5

179.7

172.6

165.9

159.2

152.5

145.5

16.330

8.817

4.930

3.299

2.428

1.912

1.567

1.337

1.183

1.079

1.015

160.4

107.9

78.0

58.2

42.0

28.1

15.2

3.3

.012

.028

.030

.029

.027

.028

.032

.038

.048

.057

.067

72.2

33.4

18.4

16.6

21.1

35.2

39.3

43.3

45.0

43.5

39.4

.335

.307

.378

.472

.555

.628

.682

.726

.761

.790

.816

-18.7

-80.7

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

-106.7

-118.6

-128.3

-136.0

-143.3

-149.3

-155.1

-160.5

-165.9

-8.3

-19.8

-32.1

Download S-Parameters, click here

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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