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FLU17XM

更新时间: 2024-01-05 04:25:58
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 81K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE XM, 3 PIN

FLU17XM 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:MICROWAVE, R-CQMW-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.32其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 VFET 技术:JUNCTION
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CQMW-F4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

FLU17XM 数据手册

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FLU17XM  
L-Band Medium & High Power GaAs FET  
POWER DERATING CURVE  
DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE  
10  
8
V
=0V  
GS  
600  
400  
200  
6
4
2
-0.5V  
-1.0V  
-1.5V  
-2.0V  
0
2
4
6
8
10  
0
50  
100  
150  
200  
Drain-Source Voltage (V)  
Case Temperature (°C)  
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER  
=10V  
V
DS  
I
0.6I  
DS  
DSS  
f = 2.0 GHz  
33  
31  
29  
50  
40  
P
out  
30  
20  
27  
25  
23  
η
add  
10  
12 14 16 18 20 22  
Input Power (dBm)  
2

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