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FLM1414-4F

更新时间： 2024-02-23 01:34:34

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EUDYNA		晶体晶体管放大器局域网
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Internally Matched Power GaAs FET

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FLM1414-4F 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FLM1414-4F 数据手册

FLM1414-4F

Internally Matched Power GaAs FET

POWER DERATING CURVE

OUTPUT POWER & IM vs. INPUT POWER

=10V

f1 = 14.5 GHz

f2 = 14.51 GHz

2-tone test

out

-25

-35

-45

-55

100

150

200

Case Temperature (°C)

Input Power (S.C.L.) (dBm)

S.C.L.: Single Carrier Level

OUTPUT POWER vs. FREQUENCY

OUTPUT POWER vs. INPUT POWER

= 10V

1dB

=10V

f = 14.25 GHz

out

Pin = 30dBm

28dBm

add

26dBm

24dBm

20 22

24 26 28 30 32

Input Power (dBm)

14.0 14.1 14.2 14.3 14.4 14.5

Frequency (GHz)

123 4

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