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FLC107WG

更新时间： 2024-02-17 01:59:29

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EUDYNA		晶体晶体管局域网
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4页	91K
描述
C-Band Power GaAs FET

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FLC107WG 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	7.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLC107WG 数据手册

FLC107WG

C-Band Power GaAs FET

POWER DERATING CURVE

DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE

500

=0V

400

-0.5V

-1.0V

300

200

100

-1.5V

-2.0V

100

150

200

Drain-Source Voltage (V)

Case Temperature (°C)

& η

add

vs. V

OUTPUT POWER vs. INPUT POWER

1dB

=10V

≈ 0.6 I

f=8GHz

≈ 0.6 I

DSS

6 GHz

8 GHz

6 GHz

out

1dB

add

8 GHz

add

12 14 16 18 20 22

Input Power (dBm)

Drain-Source Voltage (V)

123 4

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