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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJV3105RMTF
FJV3105RMTF PDF预览

FJV3105RMTF

更新时间： 2024-10-01 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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FJV3105RMTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.49
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

FJV3105RMTF 数据手册

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FJV3105R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
3
Built in bias Resistor (R =4.7KΩ, R =10KΩ)  
1
2
Complement to FJV4105R  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
R1  
R25  
B
R2  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
10  
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
200  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I =100µA, I =0  
50  
C
B
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V, I =5mA  
30  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I =10mA, I =0.5mA  
V
CE  
C
B
C
V
=10V, I =5mA  
3.7  
pF  
ob  
CE  
C
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Input Off Voltage  
V
V
V
=10V, I =5mA  
250  
MHz  
V
T
CE  
CE  
CE  
C
V (off)  
=5V, I =100µA  
0.3  
I
C
V (on)  
Input On Voltage  
=0.3V, I =20mA  
2.5  
6.2  
V
I
C
R
Input Resistor  
3.2  
4.7  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.42  
0.47  
0.52  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2002  
1234

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