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FJV4101R

更新时间： 2024-09-25 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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FJV4101R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.78其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

FJV4101R 数据手册

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FJV4101R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
3
Built in bias Resistor (R =4.7KΩ, R =4.7KΩ)  
1
2
Complement to FJV3101R  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
R1  
B
R71  
R2  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-50  
V
CEO  
EBO  
-10  
V
I
-100  
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -100µA, I =0  
-50  
C
B
I
V
= -40V, I =0  
-0.1  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -10mA  
20  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -0.5mA  
V
CE  
C
B
f
V
= -10V, I =-5mA  
200  
5.5  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
= -10V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1.0MHz  
V (off)  
Input Off Voltage  
Input On Voltage  
Input Resistor  
V
V
= -5V, I = -100µA  
-0.5  
V
V
I
CE  
CE  
C
V (on)  
= -0.3V, I = -20mA  
-3  
I
C
R
3.2  
0.9  
4.7  
1
6.2  
1.1  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2002  
1234

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