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FHX14LP PDF预览

FHX14LP

更新时间： 2024-02-12 13:41:11
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 69K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4

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FHX14LP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：3.5 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：O-CRDB-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.18 W最小功率增益 (Gp)：11 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FHX14LP 数据手册

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FHX13LG/LP, 14LG/LP  
Super Low Noise HEMT  
FEATURES  
• Low Noise Figure: 0.45dB (Typ.)@f=12GHz (FHX13)  
• High Associated Gain: 13.0dB (Typ.)@f=12GHz  
• Lg ² 0.15µm, Wg = 200µm  
• Gold Gate Metallization for High Reliability  
• Cost Effective Ceramic Microstrip (SMT) Package  
• Tape and Reel Packaging Available  
DESCRIPTION  
The FHX13LG/LP, FHX14LG/LP is a Super High Electron Mobility  
TM  
Transistor(SuperHEMT ) intended for general purpose, ultra-low noise and high  
gain amplifiers in the 2-18GHz frequency range. The devices are  
packaged in cost effective, low parasitic, hermetically sealed(LG) or epoxy-  
sealed(LP) metal-ceramic packages for high volume telecommunication, DBS,  
TVRO, VSAT or other low noise applications.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest reliability and con-  
sistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25¡C)  
Item  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
Unit  
Rating  
3.5  
-3.0  
V
DS  
V
GS  
V
V
Total Power Dissipation  
P
180  
mW  
t*  
FHX13LG  
-65 to +175  
¡C  
T
Storage Temperature  
Channel Temperature  
stg  
-65 to +150  
175  
FHX13LP  
FHX14LG  
¡C  
¡C  
T
ch  
FHX14LP  
150  
¡C  
*Note: Mounted on Al O board (30 x 30 x 0.65mm)  
2
3
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 2 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.2 and -0.05 mA respectively with  
gate resistance of 4000W.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 80¡C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25¡C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Min.  
Max.  
60  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
V
V
= 2V, V  
= 2V, I  
=0V  
GS  
=10mA  
DS  
=1mA  
DS  
10  
35  
-0.1  
30  
mA  
mS  
V
DSS  
DS  
DS  
g
m
50  
-0.7  
-
-
V
I
= 2V, I  
Pinch-off Voltage  
V
p
-1.5  
DS  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
= -10µA  
-3.0  
-
-
V
GSO  
NF  
GS  
Noise Figure  
FHX13LG/LP  
Associated Gain  
0.50  
0.45  
dB  
V
= 2V,  
= 10mA,  
DS  
11.0 13.0  
G
-
dB  
as  
I
DS  
f = 12GHz  
-
Noise Figure  
FHX14LG/LP  
NF  
0.55 0.60  
dB  
dB  
Associated Gain  
11.0 13.0  
300  
G
-
as  
R
th  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
-
400  
¡C/W  
AVAILABLE CASE STYLES: LG/LP  
Note: RF parameters for LG/LP devices are measured on a sample basis as follows:  
Lot qty.  
Sample qty.  
125  
Accept/Reject  
(0,1)  
1200  
1201  
3201  
or  
to  
to  
less  
3200  
10000  
over  
200  
315  
500  
(0,1)  
(1,2)  
(1,2)  
10001 or  
Edition 1.1  
July 1999  
1
1234567

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