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FFPF08S60STTU

更新时间： 2024-01-14 11:34:51
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安森美 - ONSEMI 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 247K
描述
80A，600V，STEALTH™ II 二极管

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FFPF08S60STTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220F, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
其他特性：HIGH RELIABILITY, FREEWHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.6 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FFPF08S60STTU 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
8 A, 600 V, STEALTHꢀII  
Diode  
1
2
FFPF08S60ST  
1. Cathode  
2. Anode  
Description  
The FFPF08S60S is STEALTHt II diode with soft recovery  
characteristics. It is silicon nitride passivated ion−implanted epitaxial  
planar construction.  
This device is intended for use as freewheeling of boost diode in  
switching power supplies and other power swithching applications.  
Their low stored charge and hyperfast soft recovery minimize ringing  
and electrical noise in many power switching circuits reducing power  
loss in the switching transistors.  
1
2
TO−220F−2L  
CASE 221AS  
Features  
• Stealth Recovery t = 30 ns (@ I = 8 A)  
rr  
F
MARKING DIAGRAM  
♦ Max Forward Voltage, V = 3.4 V (@ T = 25°C)  
F
C
• 600 V Reverse Voltage and High Reliability  
• This Device is Pb−Free and are RoHS Compliant  
Applications  
• General Purpose  
$Y&Z&3&K  
F08S60ST  
• SMPS  
• Boost Diode in Continuous Mode Power Factor Corrections  
• Power Switching Circuits  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C unless otherwise noted  
C
$Y  
&Z&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Date Code (Year & Week)  
= Lot  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
RRM  
V
RWM  
V
R
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
600  
600  
600  
V
V
V
F08S60ST  
= Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
Average Rectified Forward Current  
I
8
A
F(AV)  
@ T = 95_C  
Device  
Package  
Shipping  
50 / Tube  
C
FFPF08S60STTU TO−220F−2L  
I
80  
A
FSM  
Non−repetitive Peak Surge Current  
60Hz Single Half−Sine Wave  
_C  
T , T  
STG  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
− 65 to +175  
J
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
August, 2022 − Rev. 4  
FFPF08S60ST/D  
12345

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