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FFPF08S60STTU

更新时间： 2024-02-21 13:45:59
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页数 文件大小 规格书
5页 361K
描述
8 A, 600 V STEALTHTM II Diode

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FFPF08S60STTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220F, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
其他特性：HIGH RELIABILITY, FREEWHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.6 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FFPF08S60STTU 数据手册

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November 2014  
FFPF08S60ST  
8 A, 600 V STEALTHTM II Diode  
Features  
Description  
•
•
•
•
Stealth Recovery trr = 30 ns (@ IF = 8 A)  
Max Forward Voltage, VF = 3.4 V (@ TC = 25°C)  
600 V Reverse Voltage and High Reliability  
RoHS Compliant  
The FFPF08S60S is STEALTH™ II diode with soft recovery  
characteristics. It is silicon nitride passivated ion-implanted epi-  
taxial planar construction.  
This device is intended for use as freewheeling of boost diode in  
switching power supplies and other power swithching applica-  
tions. Their low stored charge and hyperfast soft recovery mini-  
mize ringing and electrical noise in many power switching circuits  
reducing power loss in the switching transistors.  
Applications  
•
•
•
•
General Purpose  
SMPS  
Boost Diode in Continuous Mode Power Factor Corrections  
Power Switching Circuits  
Pin Assignments  
1
2
TO-220F-2L  
1. Cathode 2. Anode  
1. Cathode  
2. Anode  
Absolute Maximum RatingsT  
= 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
600  
600  
8
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
V
V
V
A
A
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
IF(AV)  
IFSM  
Average Rectified Forward Current  
@ TC = 95 C  
Non-repetitive Peak Surge Current  
60Hz Single Half-Sine Wave  
80  
T
J, TSTG  
Operating Junction and Storage Temperature  
- 65 to +175  
C  
T
= 25°C unless otherwise noted  
Thermal Characteristics  
C
Symbol  
Parameter  
Max.  
3.4  
Unit  
RJC  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case  
C/W  
Information  
Package Marking and Ordering  
Part Number  
Top Mark  
Package  
Packing Method Reel Size  
Tape Width Quantity  
FFPF08S60STTU  
FFPF08S60ST  
TO-220F-2L  
Tube  
N/A  
N/A  
50  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FFPF08S60ST Rev. C2  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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