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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 133K |  |
| 描述 | ||
| Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 500A, 2500V V(RRM), Silicon, PRESSPACK-2 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-CEPF-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 应用： | POWER |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 3 V |
| JESD-30 代码： | O-CEPF-N2 | 最大非重复峰值正向电流： | 8000 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 500 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | PRESS FIT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 2500 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FD500GH56 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 500A, 2800V V(RRM), |
|
| FD500GH-56 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 500A, 2800V V(RRM), Silicon, PRESSPACK-2 |
|
| FD500GV-70 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 500A, 3500V V(RRM), Silicon, PRESSPACK-2 |
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| FD500GV-80 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 500A, 4000V V(RRM), Silicon, PRESSPACK-2 |
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| FD500GV-90 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 500A, 4500V V(RRM), Silicon, PRESSPACK-2 |
|
| FD500JV-90DA | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
|
| FD500JV-90DA_02 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE |
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| FD500R65KE3-K | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FD500R65KE3T-K | INFINEON |
获取价格 |
IGBT-Module |
|
| FD500R65KE3TKNOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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