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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | HIGH POWER SOFT RECOVERY |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 3.5 V |
| JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 | 最大非重复峰值正向电流： | 10000 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 最大输出电流： | 500 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 4500 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FD500JV-90DA_02 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE |
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| FD500R65KE3-K | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FD500R65KE3T-K | INFINEON |
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IGBT-Module |
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| FD500R65KE3TKNOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FD5012MNTXG | ONSEMI |
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Dual-Rail, 12-Phase Digital Controller with PMBus |
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| FD50E1150.000MHZ | CALIBER |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, |
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| FD50E340.000MHZ | CALIBER |
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Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom, |
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| FD50F110.999MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 10.999MHz Nom |
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| FD50F335.000MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 35MHz Nom |
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| FD5-10 | TRIAD |
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Split Bobbin Power Transformer, 12VA, ROHS COMPLIANT |
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