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FD300R12KS4_B5 PDF预览

FD300R12KS4_B5

更新时间： 2024-01-27 05:49:23
品牌 Logo 应用领域
EUPEC 晶体开关晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 271K
描述
62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching

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FD300R12KS4_B5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：370 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1950 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：590 ns标称接通时间 (ton)：180 ns
VCEsat-Max：3.75 VBase Number Matches：1

FD300R12KS4_B5 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FD300R12KS4_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-seriell / Diode-serial  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1200  
300  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
tÔ = 1 ms  
600  
A
repetitive peak forw. current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
18000  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 300 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 300 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,55  
1,70  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 300 A, - diŒ/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
230  
300  
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 300 A, - diŒ/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
18,0  
42,0  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 300 A, - diŒ/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
7,00  
15,0  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,10 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
0,029  
Reverse-Diode / reverse-diode  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1200  
100  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
tÔ = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
200  
A
repetitive peak forw. current  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
4000  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,55  
1,70  
VŒ  
V
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,30 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
0,087  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2006-4-12  
revision: 2.0  
approved by: Wilhelm Rusche  
2
12345678

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