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ESDR0544MDMR4G

更新时间： 2023-09-03 20:35:48
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 177K
描述
ESD Protection Diode, Ultra Low Capacitance, Low Clamping Voltage

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ESDR0544MDMR4G 数据手册

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ESDR0544M  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise specified)  
A
Parameter  
Reverse Working Voltage  
Breakdown Voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
V
RWM  
(Note 1)  
= 1 mA, (Note 2)  
5.0  
V
BR  
I
T
6.0  
V
Reverse Leakage Current  
Junction Capacitance  
Junction Capacitance  
I
V
V
V
= 5 V  
1.0  
0.9  
0.7  
mA  
pF  
pF  
R
RWM  
C
= 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins and GND  
= 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins  
0.7  
0.3  
J
J
R
R
C
1. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V  
or continuous peak operating voltage level.  
), which should be equal or greater than the DC  
RWM  
2. V is measured at pulse test current I .  
BR  
T
http://onsemi.com  
2
 
1234

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