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ESD12BM9

更新时间： 2024-10-04 14:55:07

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鲁光 - LGE		ESD二极管
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2页	796K
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ESD二极管

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ESD12BM9 技术参数

Case Style：	SOD-923	Pd(mW)：	200
VRWM(V)：	12	VBR(V)：	16.5
IT(mA)：	1	VC(V)：	29
IPP(A)：	-	Cj(pF)：	45
class：	Diodes

ESD12BM9 数据手册

ESD12BM9

Transient Voltage Suppressors

SOD923

◇ Uni-Directional Transient Voltage Suppressor

◇ Normal capacitance and Low clamping

◇ ESD Protection, IEC61000-4-2 Level 4

◇ SOD923F Thin SMD

◇ RoHS compliant

◇ UL-94 V-0 / Green EMC

◇ Matte Tin Lead finish (Pb-Free)

Device Marking Code

ESD12BM9

Absolute Maximum Ratings （Ta = 25 ℃）

Symbol

I_{PP *1}

Parameter

Value

Units

Maximum Reverse Peak Pulse Current

ESD Voltage IEC61000-4-2 Air

ESD Voltage IEC61000-4-2 Contact

Junction Temperature

V_ESD-Air

V_ESD-contact

T_J

±15

±8

150

℃

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

150

℃

P_D

Power Dissipation

P_PP

Peak Pulse Power(tp=8/20us)

200

t_P=8/20μs

Electrical Characteristics （Ta = 25 ℃）

Symbol

V_RWM

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

12.0

Units

Reverse Working Peak Voltage

Reverse Breakdown Voltage

I_T= 1mA

V_BR

13.5

16.5

V_RWM= 12V

I_F= 10mA

I_R

Reverse Current

Forward Voltage

Clamping Voltage

Diode Capacitance

1.0

0.95

μA

V_F

V_C

C_D

_PPMAX, t_P=8/20μs

V_R= 0V, f = 1MHz

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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